产品介绍

氧化镓，化学式为Ga2O3，作为超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约为4.9 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，具有4倍于GaN，10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技术指标。